onsemi FDD6796A
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiNTD78N03T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
STMicroelectronicsSTD100N3LF3
N-channel 30 V, 0.0045 Ohm typ., 80 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD6796A fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 25V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 25V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
20A, 25V, 0.0057OHM, N-CHANNEL ,
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Modèles CAO
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.78 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité