onsemi FDD5N50NZTM
$ 0.626
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDD5N50NZTM | 4 568 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | FDD5N50NZTM | 2 500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | FDD5N50NZTMCT-ND | 4 788 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDD5N50NZTM | 0 | 625 | Bulk | ||||||||
| Avnet | FDD5N50NZTM | 0 | 2500 | 1d |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +64.10%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDD5N50NZTM.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDD5N50NZTM, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-11-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD5NK50ZT4
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD5N50NZTM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 500 V, 4 A, 1.5 Ω, DPAK
Single N-Channel 500 V 1.5 Ohm 12 nC 62 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4 A, 1.38 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 500V DPAK
500 V, 4 A, 1.5 OHM N-CHANNEL UNIFET II MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +64.10%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance440 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation62 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDD5N50NZTM.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité