onsemi FDC6303N

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
$ 0.201
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FDC6303N2 2377143
5h
Newark
2
FDC6303N3151Cut Tape
VericalFDC6303N6 000250
Master ElectronicsFDC6303N6 000250
Onlinecomponents.comFDC6303N6 000250Bulk

Fiches techniques et documents

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onsemi

Farnell

element14 APAC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDC6321C
Transistor MOSFET N P Channel 25 Volt 0.68 Amp-0.46 Amp 6-Pin SuperSOT Tape and Reel
Détails
onsemiFDC6301N
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6 / Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin TSOT-23 T/R
Détails
onsemiFDC6320C
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
Détails
Diodes Inc.DMP2004DMK-7
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 550mA 6-Pin SOT-26 T/R
Détails
onsemiUSB10H
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
Diodes Inc.DMP2033UVT-7
1.2W(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 10.4nC@ 4.5 V 1P 20V 65m¦¸@ 4.2A,4.5V 4.2A 845pF@15V TSOT-26
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDC6303N fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R
Avnet Japan
DIGITAL FET, DUAL N-CHANNEL Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, DUAL, N, SMD, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:900mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:680mA; Current Id Max:680mA; Drain Source Voltage Vds:25V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):450mohm; Package / Case:SuperSOT-6; Power Dissipation Pd:900mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
element14 APAC
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-Channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
Fairchild Semiconductor

Images

RS
Augswan
Farnell
Farnell
Farnell
Newark
Jameco
Farnell
TME
iiiC

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDC6303N.