onsemi FDC606P
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRLMS2002TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 6.5A;Micro6;PD 2W;VGS +/-12V;-55d
Descriptions
Descriptions de onsemi FDC606P fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET,1.8V Specified, -12V, -6A, 26mΩ
P-Channel 20 V 26 mohm 1.8V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-6
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
MOSFET, P, SMD, SUPERSOT-6; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -6A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -500mV; Pow
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating-6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Dual Supply Voltage-12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.699 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-500 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation800 mW
Rds On Max26 mΩ
Resistance26 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-500 mV
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-12 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité