onsemi FDC5614P
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiCPH6445-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiCPH6444-TL-E
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFDC5661N-F085
60V, 4A, 50M Ohm, N-Channel Logic Level Powertrench Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDC5661N_F085
Diodes Inc.ZXMP6A17E6QTA
ZXMP6A17E6Q Series 60 V 2.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-6
Diodes Inc.ZXMN6A08E6QTA
Mosfet, N-Ch, 60V, 3.5A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN6A08E6QTA
Descriptions
Descriptions de onsemi FDC5614P fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V -3A, 105mΩ
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Surface Mount
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
MOSFET, P CH, -60V, 3A, SUPERSOT; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.6V;
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 135 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TSOT-23 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 800
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current2 A
Current Rating-3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance759 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Manufacturer Package IdentifierCASE 419AG−01
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.6 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité