onsemi FDBL0065N40
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRL7472L1TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package, MG-WDSON-11, RoHS
onsemiFDBL9401-F085
MOSFET N-CH 40V 300A PSOF8 / Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) H-PSOF T/R
onsemiNTMFS5C404NLT1G
Power Field-Effect Transistor, 339A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFS7430TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi FDBL0065N40 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40 V, 300 A, 0.65 mΩ
TO-leadless, PT8, 40V, 300A, 0.76mOhm - 8LDS, PSOF, JEDEC MO299, 11.68X9.90MM
Trans MOSFET N-CH 40V 300A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
429W(Tj) 20V 4V@250µA 296nC@10V N-Ch MOSFET 40V 650μΩ@80A,10V 300A 15.9nF@25V HPSOF-8 SMD 10.48mm × 9.9mm × 2.4mm
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.00065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance650 µΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance15.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation429 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation429 W
Rds On Max650 µΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time106 ns
Turn-On Delay Time54 ns
Dimensions
Height2.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité