onsemi FDB5800

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 80A, 6mΩ
$ 1.505
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkFDB58007201
DigiKey
3
FDB5800CT-ND4 3091Cut Tape
Onlinecomponents.comFDB5800025Bulk
Future ElectronicsFDB58000800Tape & Reel
Master ElectronicsFDB5800025

Fiches techniques et documents

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Technical Drawing1 pageIl y a 5 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-09-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRF1405ZSTRLPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
onsemiFDB050AN06A0
N-Channel 60 V 5 mohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - D2PAK-3
Détails
InfineonIRF1407STRLPBF
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078Ω, Id = 100A⑥) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB80NF55L-06T4
STB80NF55L-06T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 55 V, 3-PIN D2PAK
Détails
InfineonIRF1405ZSPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
STMicroelectronicsSTB60NF06LT4
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDB5800 fournies par ses distributeurs.

N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 80A, 6mΩ
onsemi
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Avnet Japan
60V, 80A, 7 OHMS, NCH, LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
Onlinecomponents.com
MOSFET, N CH, 60V, 0.0046OHM, 80A, TO-26
element14 APAC
MOSFETs 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
Mouser
Fet 60V 6.0 Mohm D2Pak Rohs Compliant: Yes
Newark
242W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 135nC@ 10V 1N 60V 6m¦¸@ 80A,10V 14A,80A 6.625nF@15V TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm
UnikeyIC
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 60V, 80A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:242W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Farnell

Images

Augswan
TME
RS
Newark
Farnell
Future Electronics
LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDB5800.