onsemi FDB3672-F085
$ 1.465
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2009-11-04
LTD Date2010-05-04
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRF540ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi FDB3672-F085 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 44A, 28mΩ
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
120W(Tc) 20V 4V@ 250µA 31nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 28mΩ@ 44A,10V 7.2A，44A 1.71nF@25V TO-263AB SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Chip Resistor - Surface Mount 5.23kOhm 0402 (1005 Metric) ±1% ±100ppm/°C Thick Film Tape & Reel (TR) 2 1 (Unlimited) ERJ RES SMD 5.23K OHM 1% 1/10W 0402
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time44 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation120 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height5.08 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité