onsemi FCH072N60
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-08-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySIHG47N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
STMicroelectronicsSTW48N60M2
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
VishaySIHW47N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
STMicroelectronicsSTWA48N60M2
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
Descriptions
Descriptions de onsemi FCH072N60 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 52 A, 72 mΩ, TO-247
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 600V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance72 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.89 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation481 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation481 W
Rds On Max72 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time97 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité