onsemi EMZ1DXV6T1
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Obsolete
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Distributeur
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Minimum
Emballage
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNSBA143ZDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiNSBC143ZPDXV6T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
onsemiNSBA123JDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi EMZ1DXV6T1 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
100 mA 60 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
NPN，PNP 500nA 60V 100mA SOT-563 SMD mount
EMZ1DXV6T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min120
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency180 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height600 µm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité