onsemi ECH8695R-TL-W
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiECH8693R-TL-W
Dual N-Channel Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24V, 14A, 7mO
VishaySI5513CDC-T1-GE3
Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 O Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8
Descriptions
Descriptions de onsemi ECH8695R-TL-W fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel Power MOSFET for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection, 24V, 11 A, 9.1 mO
Dual N-Channel Power MOSFET, 24V, 11 A, 9.1 mΩ
ECH8695R-TL-W DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 24 V, 8-PIN ECH
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
ECH8695R Series 24 V 11 A 9.1 mOhm Dual N-Channel Power MOSFET - SOT-28
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 24V 11A 8-Pin SOT-28 T/R
Avnet Japan
MOSFET, DUAL N-CH, 24V, 11A, SOT-28FL; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 24V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationDual
Fall Time22.3 µs
Gate to Source Voltage (Vgs)12.5 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max9.1 mΩ
Rise Time320 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19.7 µs
Turn-On Delay Time300 ns
Dimensions
Height950 µm
Length2.9 mm
Width2.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité