onsemi BUV21G
$ 12.857
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BUV21G fournies par ses distributeurs.
NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole Bipolar (BJT) Transistor - TO-204 (TO-3)
40 A, 200V NPN Bipolar Power Transistor
TRANS NPN 200V 40A TO-3 / Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin
Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
Transistor, Bipol, Npn, 200V, To-3-2; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:200V; Transition Frequency Ft:8Mhz; Power Dissipation Pd:250W; Dc Collector Current:40A; Dc Current Gain Hfe:10Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi BUV21G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage200 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Current Rating40 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency8 MHz
Gain Bandwidth Product8 MHz
hFE Min10
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation250 W
Transition Frequency8 MHz
Voltage Rating (DC)200 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité