onsemi BSS123L
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonBSS123NH6433XTMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 0.19A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS123NH6433XTMA1
InfineonBSS84PH6433XTMA1
BSS84P Series 60 V 8 Ohm P-Channel SIPMOS® Small-Signal-Transistor - SOT-23-3
onsemiNTR5105PT1G
Single P−Channel Power MOSFET -60V, -211mA, 5Ω -60 V, -211 mA, Single P-Channel SOT-23 Package
Descriptions
Descriptions de onsemi BSS123L fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23
N-Channel 100 V 6 O 2.5 nC Logic Level Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
This N-channel enhancement mode field effect transistor is produced using high cell density, trench MOSFET technology. This product minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transistor, high speedline drivers, power management/power supply and switching applications.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 170 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 10 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 31 / Turn-ON Delay Time ns = 3.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 360
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)170 mA
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance21.5 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation225 mW
Rds On Max6 Ω
Rise Time1.7 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time5.9 ns
Turn-On Delay Time2.2 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité