onsemi BD676G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD676G fournies par ses distributeurs.
Medium Power PNP Darlington Bipolar Power Transistor
BD Series 45 V 4 A Medium Power Silicon PNP Darlington Transistor - TO-225
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ON SEMI BD676G PNP DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 45 V HFE:750, 3-PIN TO-225
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-225AA; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transistor
This series of plastic medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
Darlington Transistor, Pnp, -45V, To-225; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:45V; Frecuencia De Transición Ft:200Mhz; Disipación De Potencia Pd:40W; Corriente De Colector Dc:4A; Núm. De Contactos:3 |Onsemi BD676G
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 4 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 45 / DC Current Gain (hFE) = 750 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 45 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 40 / Package Type = TO-225 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Bulk Box / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation40 W
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height13.64 mm
Length7.74 mm
Width2.66 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité