onsemi BD439G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD439G fournies par ses distributeurs.
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD439 Series 60 V 4 A NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-225
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 36W NPN
This series of plastic medium-power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442.
Transistor, Npn, 60V, 4A, To-225; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:60V; Transition Frequency Ft:3Mhz; Power Dissipation Pd:36W; Dc Collector Current:4A; Dc Current Gain Hfe:20Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD439G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min25
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation36 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité