onsemi BD240CTU
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Obsolete
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Fiche technique officielleIl y a 2 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2019-10-31
LTD Date2020-10-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD240CTU fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
700mV@ 200mA,1A PNP 30W 5V 300μA -100V 100V 2A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
2.0 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BD240 Series PNP 30 W 100 V Medium Power Linear and Switching - TO-220-3
Trans GP BJT PNP 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-220-3
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-220-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 30W; DC Collector Current: -2A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Transi
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage150 V
Collector Emitter Saturation Voltage-700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min15
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height20.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité