onsemi BD17510STU
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD17510STU fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 63 @ 150mA 2V 100muA ICBO 30W 3MHz
Transistor, bjt, npn,45V V(Br)Ceo,3A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD17510STU
1.5 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BD175 Series 45 V 3 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126-3
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
45V 30W 3A 63@150mA2V 3MHz 800mV@1A100mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 45V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)45 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min63
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité