onsemi BCV72
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2003-12-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.MMBTA05-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC817-40Q-13-F
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Descriptions
Descriptions de onsemi BCV72 fournies par ses distributeurs.
NPN 500 mW 60 V 500 mA Surface Mount General Purpose Transistor - SOT-23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, NPN, 60V, 0.5A, SOT23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transisto
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité