onsemi BC81716MTF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
onsemiBC81740MTF
BC817 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Diodes Inc.MMBT4401-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT4401-13-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi BC81716MTF fournies par ses distributeurs.
BC817 Series 45 V CE Breakdown .8 A NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight59.987591 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation310 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage45 V
Dimensions
Height970 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité