onsemi BC557BTA
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BC557BTA fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
45V 500mW 110@2mA,5V 100mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS
100 mA, 45 V, PNP Bipolar Juction Transistor
Bipolar Transistors - BJT TO-92 PNP GP AMP
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
45V 500mW 100mA 200@2mA5V 150MHz 250mV@100mA5mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANS, PNP, -45V, -0.1A, 0.5W, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200hFE;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency150 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité