onsemi BC546BTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
onsemiKSD1616LBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi BC546BTA fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, Small Signal, NPN, 65 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Through Hole
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN 65V 100mA HFE/450
65V 500mW 100mA 200@2mA5V 300MHz 250mV@100mA5mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage Max: 65V; Continuous Collector Current: 100mA; Power Dissipation: 500mW; Transistor Mounting: Through Hole; No. of Pins: 3Pins; Transition Frequency: 300MH
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240.007063 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage90 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage65 V
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité