onsemi BC327BU
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiKSB1116SYBU
Bulk Through Hole PNP KSB1116 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi BC327BU fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Transistor, bjt, pnp,45V V(Br)Ceo,800Ma I(C),to-92 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC327BU
45V 625mW 800mA 100MHz PNP 700mV@500mA50mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.8A, TO-92-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: -800mA; DC Current Gain hFE: 100hFE
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min40
Max Collector Current800 mA
Max Frequency20 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité