onsemi BC182LB

Name: onsemi BC182LB
Brand: onsemi
SKU: BC182LB

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 500 mA, 350 mW, TO-92, Through Hole

$ 0.044

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		BC182LB	10				0,053	0,044	0,039	2h
element14 APAC		BC182LB	0	5		0,301*	0,142*	0,085*	0,063*	16h
Farnell	2	BC182LB.	0	5		0,124*	0,053*	0,027*	0,027*	1d
Win Source		WS-BC182LB	20	130				0,297	0,266	3h
Worldway Electronics		BC182LB	19 309	7	Bulk	0,014	0,014	0,013	0,013	2h

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Upverter

Technical Drawing3 pagesIl y a 5 ans

IHS

Farnell

Fairchild Semiconductor

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2002-03-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemi2N5210BU

TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 30MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Détails

onsemiSS9014CBU

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 270 MHz, 450 mW, 100 mA, 200

Détails

onsemiMPSA10

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi BC182LB fournies par ses distributeurs.

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 500 mA, 350 mW, TO-92, Through Hole

Avnet

Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 10muA 5V 100mA 350mW 150MHz

Fly-Wing Technology

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

IHS

NPN General Purpose Amplifer Product Highlights: This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 10.

North Star Micro

Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):40; Package/Case:TO-92; C-E Breakdown Voltage:50V; DC Collector Current:0.5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transistor Case Style: TO-92; No. of Pins: 3Pins; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Continuous Collector Current Ic M

Farnell

TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:80; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:200mA; Current Ic Continuous a Max:200mA; Current Ic hFE:2mA; Device Marking:BC182LB; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:240; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:a; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:625mW; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:60V

element14 APAC

Images

element14 APAC

Farnell

Newark

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

BC182LB.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-92-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight201 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)60 V

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency150 MHz

Gain Bandwidth Product150 MHz

hFE Min80

Max Collector Current100 mA

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation350 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingBulk

PolarityNPN

Power Dissipation350 mW

TerminationThrough Hole

Transition Frequency150 MHz

Voltage Rating (DC)50 V

Dimensions

Height4.78 mm

Length6.35 mm

Width6.35 mm

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Upverter

Technical Drawing3 pagesIl y a 5 ans

IHS

Farnell

Fairchild Semiconductor

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans