onsemi 3LN01SS-TL-E
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiNTA7002NT1G
NTA7002N: Small Signal MOSFET 30V 154mA 7 Ohm Single N-Channel SC-75 with ESD Protection
NXP SemiconductorsNX3008NBKT,115
MOSFET Transistor, N Channel, 350 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
Diodes Inc.DMG3401LSN-7
Single P-Channel 30 V 85 mOhm 11.6 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
VishaySI1028X-T1-GE3
VISHAY SI1028X-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V
Descriptions
Descriptions de onsemi 3LN01SS-TL-E fournies par ses distributeurs.
Small Signal MOSFET 30V 150mA 3.7 Ohm Single N-Channel SSFP
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 150mA Ta 150mA 150mW 120ns
3LN01SS-TL-E N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.15 A, 30 V, 3-PIN SSFP
MOSFET, N CH 30V 0.15A SOT89; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:30V; Cont Current Id:0.15A; On State Resistance:3.7ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.3V; Case Style:SSFP; Termination Type:SMD; Power Dissipation:0.15W; Transistor Case Style:SOT-89
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 mA
Drain to Source Resistance3.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance7 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 mW
Rds On Max3.7 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time155 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.4 mm
Width800 µm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité