onsemi 2SC5707-E
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
onsemi2SD1802S-TL-E
Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 140-280
onsemi2SD1802T-TL-E
Bipolar Transistor, 50V, 3A, Low VCE(sat) NPN Single TP/TP-FA hFE = 200-400
Diodes Inc.APT13003DI-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
onsemi2SD1815T-TL-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 200 - 400
Descriptions
Descriptions de onsemi 2SC5707-E fournies par ses distributeurs.
Bipolar Transistor, 50V, 8A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
240mV@ 175mA,3.5A NPN 1W 6V 100nA 100V 50V 8A TO-251 6.5mm*2.3mm*5.5mm
TRANSISTOR, NPN, 50V, 8A, TO-251-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 330MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transist
Trans, Npn, 50V, 8A, 150Deg C, 15W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:8A; Power Dissipation:15W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:330Mhz Rohs Compliant: Yes |Onsemi 2SC5707-E
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage110 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency330 MHz
Gain Bandwidth Product330 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency330 MHz
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité