onsemi 2SC5488A-TL-H
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2026-03-30
LTD Date2026-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
ToshibaMT3S20TU(TE85L)
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
ROHM2SC3838KT146P
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN
Descriptions
Descriptions de onsemi 2SC5488A-TL-H fournies par ses distributeurs.
RF Transistor, NPN Single, 10 V, 70 mA, fT = 7 GHz
ON SEMI 2SC5488A-TL-H NPN RF BIPOLAR TRANSISTOR, 0.07 A, 10 V, 3-PIN SSFP
RF Transistor 10V 70mA fT;7GHz NPN Single SSFP
Bipolar Transistors - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 100mW 3-Pin SSFP T/R
RF Small Signal Bipolar Transistor
TRANS, NPN, HIGH F, 10V, 0.07A, SSFP; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:10V; Typ Gain Bandwidth ft:7GHz; Power Dissipation Pd:100mW; DC Collector Current:70mA; DC Current Gain hFE:200; Transistor Case Style:SC-81; No. of Pins:3
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage10 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)10 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Gain12 dB
hFE Min90
Max Breakdown Voltage10 V
Max Collector Current70 mA
Max Frequency7 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation100 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency5 GHz
Dimensions
Height600 µm
Length1.4 mm
Width800 µm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité