onsemi 2SA2169-E
$ 3.277
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 2SA2169-E | 13 698 | 197 | 22h | ||||||||
| Flip Electronics | 2SA2169-E | 13 698 | 4d | |||||||||
| Win Source | WS-2SA2169-E | 9 000 | 13 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | 2SA2169-E | 11 681 | 7 | Bulk | 20h | |||||||
| UnikeyIC | 2SA2169-E | 13 698 | 500 | Cut Tape | 3h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
onsemi2SB1204T-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Descriptions
Descriptions de onsemi 2SA2169-E fournies par ses distributeurs.
TRANS PNP 50V 10A TP / Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 10 A 130MHz 950 mW Through Hole TP
Bipolar Transistor, -50V, -10A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
580mV@ 250mA,5A PNP 950mW 6V 10¦ÌA 50V 50V 10A TO-251 6.5mm*2.3mm*5.5mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-290 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)-580 mV
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min200
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation950 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation950 mW
Transition Frequency130 MHz
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité