onsemi 2N7002LT3G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemi2N7002LT1G
MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDS(ON) 7.5 Ohms; ID +/-115mA; SOT-23 (TO-236); PD 225mW; -55
InfineonBSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 P-Channel 60 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Diodes Inc.2N7002E-7-F
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Descriptions
Descriptions de onsemi 2N7002LT3G fournies par ses distributeurs.
SOT23, N-Channel MOSFET - 60V 115MA 7.5Ohm SOT23, N-Ch Mosfet - 60V 115MA 7.5O
2N7002LT3G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.115 A, 60 V, 3-PIN SOT-23
Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5 Ohm Single N-Channel SOT-23
N-Channel Small Signal MOSFET 60V 115mA 7.5 Ω, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL
onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 115 mA, SOT-23encapsulation, surface mount, 3Pin
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23; Channel Type: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain Current Id: 115mA; Transistor Mounting: Surface Mount; Rds(on) Test Voltage: 10V; Gate Source Thr
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Current Rating115 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max7.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité