onsemi 2N5885G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi 2N5885G fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, HIGH POWER, VCEO 60VDC, IC 25A, PD 200W, TO-204AA (TO-3)
25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
2N Series 60 V 25 A NPN Complementary Silicon High-Power Transistor - TO-204AA
ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE
Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-204-2; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 4MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 25A; DC Current Gain hFE: 4hFE; Transis
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-204-3
Contact PlatingTin
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min4
Max Collector Current25 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height8.51 mm
Length39.37 mm
Width26.67 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité