Omron EE-SX1096
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Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Introduction Date1994-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Omron EE-SX1096 fournies par ses distributeurs.
940nm Through-Beam 3.4mm 4¦Ìs,4¦Ìs Phototransistor PCB, 25mm*3.4mm*10.2mm
3.4 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Transmissive Types with Phototransistor Output, PCB mounting, RoHS
Omron SCT
PHOTO MICROSENSOR | Omron Electronic Components EE-SX1096
Photointerrupter Transmissive 3.4mm Phototransistor 4-Pin
Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, 50 Ma, 1.2 V, 4 V, 0.5 Mm, 3.4 Mm Rohs Compliant: Yes |Omron EESX1096
Photo micro sensor interrupters
PMS, NON-AMP - PHOTO MICROSENSOR
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 3.4MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 3.4mm; Aperture Width: 0.5mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 4V; Forward Voltage: 1.2V; Product Ra
Alias du fabricant
Omron possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Omron peut également être connu sous les noms suivants :
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current50 mA
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Peak Wavelength940 nm
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Sensing Distance3.4 mm
Wavelength940 nm
Dimensions
Height25 mm
Width2.1 mm
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