NTE Electronics NTE2987
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Descriptions
Descriptions de NTE Electronics NTE2987 fournies par ses distributeurs.
POWER MOSFET N-CHANNEL 100V ID=20A TO220 CASE LOGIC LEVEL HIGH SPEED SWITCH
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
replacement Transistors TO-220 N-CH 100V 20A
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC, N CHANNEL HIGH SPEED SWITCH, 20A, TO; IC, N CHANNEL HIGH SPEED SWITCH, 20A, TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:20A; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Threshold Voltage Vgs:1.6V
Alias du fabricant
NTE Electronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NTE Electronics peut également être connu sous les noms suivants :
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight72.574779 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation105 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation105 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Dimensions
Height12.7 mm
Length152.4 mm
Width76.2 mm
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