Nexperia BC859B,215
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Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | BC859B,215 | 8 373 386 | 12500 | |||||||||
| Rochester Electronics | BC859B,215 | 8 373 386 | 11h | |||||||||
| TME | BC859B.215 | 330 | 1 | 2h | ||||||||
| DigiKey Marketplace | 2156-BC859B,215-954-ND | 8 373 386 | 7407 | Bulk | ||||||||
| Newark | BC859B,215 | 0 | 5 | Cut Tape |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces de rechange
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Price @ 1000
$ 0.05
$ 0.018
Stock
35,376,012
4,091,914
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
hFE Min
220
200
Power Dissipation
250 mW
310 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.BC858A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.MMBT4126-7-F
MMBT4126 Series 25 V 200 mA SMT PNP Small Signal Transistor - SOT-23-3
Descriptions
Descriptions de Nexperia BC859B,215 fournies par ses distributeurs.
BC859 Series 30 V 100 mA SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
In a Pack of 100, Nexperia BC859B, 215 PNP Transistor, 100 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-300mV; Current Ic Continuous a Max:-10mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:220; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:250mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité