Nexperia BAS21SW,115
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsBAT54JFILM
BAT54 Series 300 mA 900 mV Schottky Diode Surface Mount - SOD-323
STMicroelectronicsBAS70JFILM
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
Descriptions
Descriptions de Nexperia BAS21SW,115 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Diode, Dual Isolated, 250 V, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
Rectifier Diodes & Bridges; BAS21SW,115; NEXPERIA; 3; 125 mA; 250 V; 100 nA
Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, Silicon
Diode Switching 250V 0.225A 3-Pin SC-70 T/R
TVS Diode 250V 9A 50ns 100nA 225μA Dual SOT-323 SMD 1mm H
Rectifier Diode, 0.225A, 250V V(RRM)
DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT323
NOW NEXPERIA BAS21SW - RECTIFIER
DIODE, DUAL, 250V, 0.225A, SC-70; Diode Configuration: Dual Series; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: -; Forward Current If(AV): 225mA; Forward Voltage VF Max: 1.25V; Reverse Recovery Time trr Max: 50ns; Forward Surge Curr
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -85.94%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Average Rectified Current225 mA
Capacitance2 pF
Element ConfigurationDual
Forward Current125 mA
Forward Voltage1 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)1.7 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current225 mA
Max Power Dissipation200 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)250 V
Max Reverse Leakage Current100 nA
Max Reverse Voltage (DC)250 V
Max Surge Current625 mA
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Peak Non-Repetitive Surge Current9 A
Peak Reverse Current100 nA
Power Dissipation200 mW
Recovery Time50 ns
Reverse Recovery Time50 ns
Reverse Standoff Voltage200 V
Reverse Voltage250 V
Schedule B8541100070
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité