Microchip TN2501N8-G
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Chaîne d'approvisionnement
Projected EOL Date2034-06-24
Country of AssemblyChina, Philippines
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.0095
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
onsemiPCP1405-TD-H
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89 / Trans MOSFET N-CH 250V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
NXP SemiconductorsAFT05MS004NT1
AFT05MSx Series 30 V 520 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - SOT-89-3
Descriptions
Descriptions de Microchip TN2501N8-G fournies par ses distributeurs.
1.6W(Tc) 20V 1V@1mA 1N 18V 2.5¦¸@ 200mA,3V 400mA 110pF@15V SOT-89,TO-243AA 4.6mm*2.6mm*1.6mm
Trans MOSFET N-CH Si 18V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
TN2501 Series 18 V 400 mA N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET -SOT-89-3
MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 18V, 2.5 Ohm
Enhancement-Mode N-Channel, 2.5Ω, 1V, SOT-89-3, RoHS
Microchip SCT
Mosfet, N-Channel Enhancement-Mode, 18V, 2.5 Ohm 3 Sot-89 T/R Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology TN2501N8-G
SOT-89-3 Pre-ordered MCUs ROHS
Alias du fabricant
Microchip possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Microchip peut également être connu sous les noms suivants :
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)400 mA
Drain to Source Breakdown Voltage18 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)18 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
HS Code8541.29.0055, 8541.29.0095
Input Capacitance110 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
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