Microchip LND150N8-G
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Chaîne d'approvisionnement
Projected EOL Date2034-02-24
Country of AssemblyChina, Philippines, Taiwan
Country of FabricationUnited States of America
Country of OriginChina, Philippines, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.0060
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusREL (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN6A11ZTA
ZXMN6A11Z Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA
ZXMN10A07Z Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-89
Descriptions
Descriptions de Microchip LND150N8-G fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin (3+Tab) SOT-89
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 850 ohm, SOT-89, Surface Mount
Mosfet Transistor, N Channel, 30 Ma, 500 V, 850 Ohm Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology LND150N8-G
MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, SOT-89-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30mA; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 850ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Pow
Power Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 1000ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA
Alias du fabricant
Microchip possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Microchip peut également être connu sous les noms suivants :
- Microchip Technology
- MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- MICROCHI
- MICROC
- MICROCH
- MICROCHIP TECH
- MCHP
- MCRCH
- MCP
- MICROHIP
- MICROSHIP
- MICCHP
- MICROCHP
- MTech
- Microchip Technology / Atmel
- MICROCIHIP
- Microchip Technologies
- Microchip / Microsemi
- MICORCHIP
- MICHROCHIP
- Atmel/Microchip
- MICRIOCHIP
- Atmel (Microchip Technology)
- MICROCHIP (ATMEL)
- MICROCHIP TECHNOLOGY (VA)
- Microchip Technology Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight52.786812 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 mA
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time450 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
HS Code8541.29.0055, 8542.39.0090
Input Capacitance10 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max1 kΩ
Rise Time450 ns
Schedule B8542390000
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time90 ns
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité