Littelfuse IXFH24N80P
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
onsemiFCH125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247
onsemiFCH165N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 23 A, 165 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de Littelfuse IXFH24N80P fournies par ses distributeurs.
In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 24 A, 800 V, 3-Pin TO-247AD IXYS IXFH24N80P
Single N-Channel 800 Vds 400 mOhm 650 W Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd
Mosfet, N, To-247; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:24A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:800V; Resistencia De Activación Rds(On):400Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:5V |Ixys Semiconductor IXFH24N80P
Alias du fabricant
Littelfuse possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Littelfuse peut également être connu sous les noms suivants :
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance7.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation650 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation650 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 MΩ
Reverse Recovery Time250 ns
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height21.46 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant