Infineon ISC009N06LM5ATMA1
$ 2.04
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -29.30%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon ISC009N06LM5ATMA1.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon ISC009N06LM5ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-05-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon ISC009N06LM5ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Surface Mount
60 V 41 A 3 W Surface Mount N-Channel OptiMOSTM5 Power-Transistor - PG-TSON-8-3
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8 / N-Channel 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Power Field-Effect Transistor, 348A I(D), 60V, 0.0009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
3W(Ta)，214W(Tc) 2.3V@ 147µA 209nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 900μΩ@ 50A,10V 348A；41A 13nF@30V TSON-8-EP SMD mount
The ISC009N06LM5, Infineon's OptiMOS™ MOSFET in the SuperSO8 package extends the OptiMOS™ 5 and 3 product portfolio and enables higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -29.30%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)348 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance900 µΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Turn-Off Delay Time104 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon ISC009N06LM5ATMA1.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité