Infineon IRLR3705ZPBF.
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRFR8403
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK N-Channel 40 V 100A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK N-Channel 40 V 90A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
STMicroelectronicsSTD65N55LF3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 N-Channel 55 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLR3705ZPBF. fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 55V, RDS(ON) 6.5 MILLIOHMS, ID 42A, D-PAK (TO-252AA),-55C
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
N CHANNEL MOSFET, 55V, 89A, D-PAK; Trans; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A;
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation130 W
Rds On Max8 mΩ
Recovery Time42 ns
Resistance8 MΩ
Rise Time150 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height2.2606 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité