Nouveautés : Trouvez les bonnes pièces plus rapidement grâce à notre expérience repensée

En savoir plus

Infineon IRLMS1902PBF

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Envoyer une demande de devis

Malheureusement, nous ne connaissons aucun distributeur pour IRLMS1902PBF. Si vous en connaissez un, veuillez nous en informer afin que nous l’ajoutions à notre base de données ou demandez un devis à l’un de nos partenaires.

Envoyez une demande de devis à un groupe de distributeurs spécialisés dans la recherche de composants difficiles à trouver.

Demande de devis (RFQ)

Cette demande sera envoyée aux fournisseurs spécifiés.
(* indique un champ requis)

Demande de devis
Fournisseurs *
Coordonnées
Acheter auprès de revendeurs non agréés comporte des risques accrus. Les pièces peuvent être défectueuses, mal étiquetées, contrefaites ou non couvertes par la garantie. En savoir plus sur notre Classifications des distributeurs.

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLMS1902PBF.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 21 ans
Datasheet8 pagesIl y a 21 ans

Farnell

element14 APAC

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLMS1902PBF fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:3.2A; Resistance, Rds on:0.1R; Voltage, Vgs Rds on measurement:4.5V; Case style:Micro6; Capacitance, Ciss typ:300pF; Charge, Qrr typ @ Tj = 25C:37nC; Charge, gate RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:1.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacitance Ciss Typ:300pF; Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:37nC; Current Id Max:3.2A; Current Temperature:25°C; External Depth:3.00mm; External Length / Height:1.45mm; External Width:3.00mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; N-channel Gate Charge:4.7nC; Package / Case:Micro6; Power Dissipation Pd:1.7W; Power Dissipation Pd:1.7W; Pulse Current Idm:18A; Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns; Reverse Recovery Time trr Typ:40ns; SMD Marking:2A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA