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Infineon IRLL024ZTRPBF

Single N-Channel 55 V 60 mOhm 7 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223-3
$ 0.48
EOL
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
3
IRLL024ZTRPBF
4 214
5
Cut Tape
USD
0,850
0,656
0,581
0,581
Arrow Electronics
2
IRLL024ZTRPBF
6 806
1
USD
0,987
0,987
0,987
0,987
0,987
DigiKey
2
IRLL024ZTRPBFCT-ND
2 427
1
Cut Tape
USD
1,190
0,747
0,490
0,379
0,379
Avnet
IRLL024ZTRPBF
0
2500
USD
0,227
22h
Future Electronics
2
IRLL024ZTRPBF
0
2500
Tape & Reel
USD
0,635

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRLL024ZTRPBF.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

Newark

iiiC

Arrow Electronics

_legacy Avnet

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-12-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

InfineonIRFL024ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 46.2 Milliohms;ID 5.1A;SOT-223;PD 1W;VF 1.3V
Détails
InfineonIRFL024ZTRPBF
Single N-Channel 55 V 57.5 mOhm 9.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Détails
InfineonIRLL024ZPBF
Single N-Channel 55 V 100 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
Détails
STMicroelectronicsSTN3NF06L
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 4 A STripFET II Power MOSFET in SOT-223 package
Détails
STMicroelectronicsSTN4NF06L
Automotive-grade N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 4 A STripFET II Power MOSFET in SOT-223 package
Détails
Diodes Inc.ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16G Series 40 V 0.06 Ohm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLL024ZTRPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 55 V 60 mOhm 7 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223-3
Future Electronics
MOSFET, 55V, 5A, 60 MOHM, 7 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-223
RS (Formerly Allied Electronics)
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Surface Mount
Avnet
Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:5A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Images

Infineon
Newark
element14 APAC
TME
Farnell
Micros
Future Electronics
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLL024ZTRPBF
  • IRLL024ZTRPBF.
  • SP001552680