Infineon IRLL014NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.14 Ohm; Id 2.8A; SOT-223; Pd 2.1W; Vgs +/-16V
Obsolete
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Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Pièces détachées

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.14Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-16V
InfineonIRFL014NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
Protected Power MOSFET, N-Channel, Clamped, Logic Level, 2.6 A, 52 V, with ESD Protection
Protected Power MOSFET, N-Channel, Clamped, Logic Level, 2.6 A, 52 V, with ESD Protection
Transistor,Mosfet,N-Channel,55V V(Br)Dss,2.6A I(D),Sot-223 Rohs Compliant: Yes

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLL014NPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.14Ohm;ID 2.8A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-16V
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 55 V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W
Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:2A; On Resistance, Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 55V, 2A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.1W; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2A; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:60°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2.1W; Power Dissipation Pd:2.1W; Pulse Current Idm:16A; SMD Marking:LL014N; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLL014NPBF
  • IRLL 014NPBF
  • IRLL014NPBF.
  • SP001550472