Infineon IRG4BC30FDPBF

IRG4BC30FD Series 600 V 17 A N-Channel Fast CoPack IGBT - TO-220AB
$ 6.31
Obsolete
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Prix et stock

Fiches techniques et documents

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Datasheet10 pagesIl y a 16 ans
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-11
LTD Date2013-02-11

Pièces détachées

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRG4BC30SPBF
600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Descriptions

Descriptions de Infineon IRG4BC30FDPBF fournies par ses distributeurs.

IRG4BC30FD Series 600 V 17 A N-Channel Fast CoPack IGBT - TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Copacked 600V IGBT in a TO-220AB package with a fast 1-8 kHz soft recovery diode, TO220COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.59 V Current release time: 160 ns Power dissipation: 100 W
FAST COPACK INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:31A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V; Power Dissipation, Pd:100W; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, 600V, 31A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.9V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:31A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4BC30FDPBF; Fall Time Max:160ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:120A; Rise Time:26ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRG4BC30FDPBF
  • IRG4BC30FD
  • SP001545780