Infineon IRFSL7734PBF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Pièces détachées
InfineonIPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 / N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
onsemi2SK4066-1E
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 100A Ta 100A 1.65W 750ns
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFSL7734PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 75 V 3.5 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
290W(Tc) 20V 3.7V@ 250µA 270nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 3.5mΩ@ 100A,10V 183A 10.15nF@25V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:183A; On Resistance Rds(On):0.0035Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)183 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation290 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation290 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time123 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time124 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height15.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité