Infineon IRFSL3107PBF
$ 4.785
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Pièces détachées
InfineonAUIRF3805L
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFSL3107PBF fournies par ses distributeurs.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
370W(Tc) 20V 4V@ 250µA 240nC@ 10 V 1individualNChannel 75V 3mΩ@ 140A,10V 195A 9.37nF@50V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:75V; Continuous Drain Current, Id:230A; On Resistance, Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:3V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)75 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation370 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation370 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité