Infineon IRFS7434TRLPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Pièces détachées
InfineonIRFS7434PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS8409
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7430PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS7434TRLPBF fournies par ses distributeurs.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 216 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.00125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.6 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation294 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height5.084 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité