Infineon IRFR3704ZPBF

Name: Infineon IRFR3704ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR3704ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 20V; Rds(on) 6.7MILLIOHMS; Id 60A; D-pak (TO-252AA); Pd 48W

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR3704ZPBF	0	1200	Bulk					0,980	15h
Win Source	WS-IRFR3704ZPBF	10 000	95				0,626	0,417	0,417	2h
Worldway Electronics	IRFR3704ZPBF	11 549	7	Tube		0,060	0,059	0,056	0,055	1h
Chipsmall Limited	IRFR3704ZPBF	5 149	1		0,174	0,116	0,070	0,058	0,058	9h
Fly-Wing Technology	IRFR3704ZPBF	2 028			1,590	1,305	1,264	1,183	1,183	24m

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Pièces de rechange

0 composant disponible

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IHS

Datasheet13 pagesIl y a 21 ans

Datasheet12 pagesIl y a 21 ans

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2003-07-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRLR8259PBF

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Détails

InfineonIRLR8259TRPBF

IRLR8259 Series 25 V 8.7 mOhm 6.8 nC Surface Mount HEXFET Power MOSFET - DPAK-3

Détails

onsemiNTD4858NAT4G

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.2A Ta 73A Tc 13.6A 2W 25V

Détails

onsemiNTD50N03RT4G

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns

Détails

onsemiNTD50N03RT4

Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns

Détails

InfineonIPF05N03LAG

Trans MOSFET N-CH 25V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR3704ZPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 6.7Milliohms;ID 60A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W

RS (Formerly Allied Electronics)

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):8.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:60A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Pulse Current Idm:240A; SMD Marking:IRFR3704Z; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

SP001556964

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)30 A

Current Rating60 A

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance8.4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.19 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation48 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance8.4 mΩ

Package Quantity3000

Power Dissipation48 W

Rds On Max8.4 mΩ

Recovery Time19 ns

Rise Time8.9 ns

Threshold Voltage2.1 V

Turn-Off Delay Time4.9 ns

Turn-On Delay Time41 ns

Voltage Rating (DC)20 V

Dimensions

Height2.52 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

Fiches techniques et documents

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iiiC

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Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans