Infineon IRFP4410ZPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Pièces détachées
InfineonIRFP3710PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.025Ohm;ID 57A;TO-247AC;PD 200W;VGS +/-20V
VishayIRFP9140PBF
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFP4410ZPBF fournies par ses distributeurs.
IRFP4410ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 97 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
Single N-Channel 100 V 9 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:97A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:230W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:97A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:230W; Pulse Current Idm:390A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)97 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation230 W
Rds On Max9 mΩ
Recovery Time57 ns
Rise Time52 ns
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité