Infineon IRFP3006PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Pièces détachées
InfineonIRFP7530PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFP3006PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AC
Single N-Channel 60 V 2.5 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 60V, 195A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:195A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFP3006PBF
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 270 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 2.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 189 / Rise Time ns = 182 / Turn-OFF Delay Time ns = 118 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247AC / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time189 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time182 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height24.99 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité