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Infineon IRF7458PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 6.3MILLIOHMS; Id 14A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-30V
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Voir tous les prix
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF7458PBF
0
3800
Bulk
USD
0,600
10h
Win Source
WS-IRF7458PBF
24 000
35
USD
1,301
1,057
1,057
21h
Worldway Electronics
IRF7458PBF
23 742
7
Bulk
USD
0,217
0,213
0,204
0,200
3d
ICPartonline
IRF7458PBF
29 774
USD
0,602
0,572
0,542
0,512
0,482
>1wk
SHENGYU ELECTRONICS
IRF7458PBF
11 441
1
USD
0,214
0,210
0,200
0,200
0,190
6d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF7458PBF.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 21 ans
Datasheet8 pagesIl y a 21 ans

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Pièces détachées

InfineonIRF7458TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.3Milliohms;ID 14A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-30V
Détails
InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF9321TRPBF
Single P-Channel 30 V 11.2 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
Détails
VishaySI4884BDY-T1-E3
Single N-Channel 30 V 0.009 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Détails
STMicroelectronicsSTS13N3LLH5
N-channel 30 V, 0.006 Ohm, 13 A, SO-8 STripFET(TM) V Power MOSFET
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7458PBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.3Milliohms;ID 14A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-30V
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO / N-Channel 30 V 14A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:14A; Resistance, Rds On:0.008ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:16V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:110A; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; No. of Pins:8; Power Dissipation:2.5W; Power, Pd:2.5W; SMD Marking:F7458; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:3V; Width, External:4.05mm
Farnell

Images

Infineon
TME
Distrelec
International Rectifier
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP001555388