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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF7413 fournies par ses distributeurs.
MOSFET, 30V, 13A, 11 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:13A; On-Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC; Drain Source On Resistance @ 10V:11mohm RoHS Compliant: No
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité